| |
| Популярные книги |
|
|
|
|
| « НАНОТЕХНОЛОГИИ » |
21 июня 2013 |
КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СУБМИКРОННЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ |
№ 99609273 |
Автор: admin :: Просмотров: 4972 |
|
|
|
ОписаниеВ книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит — на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Ключевые теги: процесс, транзистор, область, особенность, технолог, диэлектрик, долговечность, изготовление, масштабирование, надежность, влияние, книга, уровень, выход, изображение, легирование, операция, перенос, изделие, деградация, красников, геннадий, яковлевич
|
|
|
(голосов: 8) |
Уважаемый посетитель вы вошли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем. |
 |
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости. |
|
|
ШКОЛЬНАЯ ЛИТЕРАТУРА
